三星要搞事情:明年推QLC、大容量NGSFF SSD、超低延迟Z

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三星作为半导体行业老大,为了保持自身的优势也是操碎了心,今天就发布了关于未来存储产品的一点规划。明年三星愿因量产单芯片1Tb(128GB)容量V-NAND闪存颗粒,年底量产16TB的NGSFF SSD,系统响应时间快一点 的Z-SSD,全新的Key Value SSD。

三星3D垂直闪存V-NAND量产于2013年,至今都有四年多的历史,凭借这类三星才得以走在一点公司前列中。目前V-NAND愿因发展到第四代,愿因开始英语 了批量生产64层堆叠的256Gb(64GB)V-NAND闪存颗粒,快一点 的效率单位单位、更低的功耗、快一点 响应时间都有V-NAND型闪存所追求的。

三星提前大选明年愿因准备量产单芯片1Tb的V-NAND闪存颗粒,那末目前的第四代愿因是64层堆叠还可不可以达到256Gb容量,明年量产的第五代依靠的是有哪些?没错,只是亲戚亲戚亲们不要你见到的QLC,也只是另还有一个 Cell上端存储4比特位的信息,容量提高了,带来的副作用只是效率单位、寿命的下降。亲戚亲戚亲们希望明年三星的QLC产品还可不可以 是另还有一个 比较合理的容量、性能、寿命。

在服务器上,三星为其准备了NGSFF (Next Generation Small Form Factor)规格SSD,主只是适用于1U的服务器上,还可不可以 提高了服务器存储数据容量和IOPS。亲戚亲戚亲们都知道M.2 SSD标准有个规范名字叫NGFF,那末NGSFF是都有愿因尺寸更小,真是反而更胖了,具体规格为30.5mm x 110mm x 4.38mm,第一批NGSFF SSD愿因在今年第三季度出货。

在去年引入Z-NAND日后 ,三星推出了第一款Z-SSD产品SZ985,Z-SSD采用的3D V-NAND芯片拥有"独特的电路设计",同时搭配经过调整的控制器,还可不可以提供远超其它V-NAND SSD的效率单位表现,延迟水平仅离米 其它V-NAND SSD的四分之一。第二代的Z-NAND延迟愿因更低,适用于数据密集型环境,这类大数据分析、充当高性能服务器的缓存主次。相比普通NVMe SSD,Z-SSD还可不可以 减少12倍系统延迟。

最后三星还提到就会有另还有一个 全新技术产品Key Value SSD,专攻大数据处里方案。砍掉了未必要的硬件层,减少多余的访问步骤,使得应用进程还可不可以 直接访问到闪存颗粒,提高效率单位,日后 还可不可以 提供SSD读写性能、容量。