美光科技开始使用1z纳米制程技术量产16Gb DDR4产品

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8月29日消息,美光科技(Micron)提前大选了DRAM扩充的进展,成为首家刚开始了了了使用1z纳米制程技术量产16Gb DDR4产品的存储器公司。美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示,现今扩充DRAM条件变得更加僵化 ,开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现了美光世界级的工程和制造能力。率先进入市场让美光拥有竞争优势,我门歌词 我门歌词 我门歌词 将继续为广泛的终端客户应用提供高价值正确处理方案。

与上一代1y纳米节点相比,美光的1z纳米16Gb DDR4产品显著提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同時 ,它也能够美光持续改善其运算DRAM(DDR4)、行动DRAM(LPDDR4)和图形DRAM(GDDR6)产品系列的相对效能和功耗。对于包括人工中国智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和服务器等应用而言,功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。

美光透过量产16Gb DDR4存储器正确处理方案,刚开始了了了将技术移转至1z纳米。使用更小的节点进行生产带来多项优势,包括功耗较上一代8Gb DDR4产品降低约40%。美光全面的1z纳米DDR4产品组合也满足资料中心对更高效能、更高容量和更低功耗,日益增长的需求。

此外,美光也提前大选公司已刚开始了了了批量出货基于UFS规范多芯片封装(uMCP4)的业界最高容量单片16Gb低功率双倍资料传输传输速率4X (LPDDR4X)DRAM。美光的1z纳米LPDDR4X和uMCP4满足了移动设备制造商寻求更低功率和更小封装,以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。

在20nm之上,供应商们希望通过两代或三代1xnm节点去升级DRAM,也被称为1xnm,1ynm和1znm。1xnm趋于稳定16nm和19nm之间,1ynm规定在14nm到16nm,1znm规定在12nm到14nm。

文章来源:中时电子报